پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی

دسته بندی : /

10,000 تومان
وضعیت محصول: موجود

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است.

گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود.

این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است.

بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد.

بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه.


محصولات مشابه
دانلود مقاله دستورالعمل آدیت محصول به روش SQFE
دانلود پروژه و مقاله پیرامون بیومتریک
حراجدانلود پروژه و مقاله پیرامون بیومتریک
دانلود پروژه و مقاله پیرامون بیومتریک
جزوه خلاصه درس مدار منطقی
حراججزوه خلاصه درس مدار منطقی

جزوه خلاصه درس مدار منطقی

9,500 تومان

جزوه خلاصه درس مدار منطقی
جزوه خلاصه درس ریاضیات گسسته
حراججزوه خلاصه درس ریاضیات گسسته

جزوه خلاصه درس ریاضیات گسسته

8,500 تومان

جزوه خلاصه درس ریاضیات گسسته
دانلود جزوه رمزنگاری کلاسیک
حراجدانلود جزوه رمزنگاری کلاسیک

دانلود جزوه رمزنگاری کلاسیک

9,000 تومان

دانلود جزوه رمزنگاری کلاسیک
دانلود تحقیق پیرامون سیستم عامل
حراجدانلود تحقیق پیرامون سیستم عامل
دانلود تحقیق پیرامون سیستم عامل
دانلود پروژه مهندسی نرم افزار سیستم کتاب فروشی
دانلود گزارش کارآموزی رشته برق–پست ۴۰۰
دانلود مقاله تاثير آب و هوا بر شبكه های وايرلس
مقاله روش‌هاي كاهش مصرف انرژي الكتريكی الكتروموتورها
دانلود مقاله پیرامون تکنولوژی ال ای دی LED

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است.

گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود.

این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است.

بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد.

بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه.

در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد.

جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم.

بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است.

در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند.

در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم.

بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی

سرفصل :

  • مقدمه
  • مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
  • گونه های مختلف کربن در طبیعت
  • کربن بیشکل
  • الماس
  • گرافیت
  • فلورن و نانو لولههای کربنی
  • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی
  • بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی
  • ساختار الکترونی کربن
  • اربیتال p کربن
  • روش وردشی
  • هیبریداسون اربیتالهای کربن
  • ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی
  • ساختار هندسی گرافیت
  • ساختار هندسی نانولولههای کربنی
  • یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی
  • یاختهی واحد صفحهی گرافیت
  • یاخته واحد نانولولهی کربنی
  • محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی
  • مولکولهای محدود
  • ترازهای انرژی گرافیت
  • ترازهای انرژی نانولولهی کربنی
  • چگالی حالات در نانولولهی کربنی
  • نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی
  • مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت
  • رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی
  • پراکندگی الکترون فونون
  • تابع توزیع الکترون
  • محاسبه نرخ پراکندگی کل
  • شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
  • ضرورت تعریف روال واگرد
  • بحث و نتیجه گیری
  • نرخ پراکندگی
  • تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
  • بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
  • بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
  • بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
  • بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
  • بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
  • نتیجه گیری
  • پیشنهادات
  • ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.
  • منابع
  • چکیده انگلیسی

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *